





igbt(insulatedgatebipolartransistor)是一种复合型功率半导体器件,其工作原理是通过控制栅极电压来控制其集电极和发射极之间的电流。在igbt中,栅极电压控制着一个由n型和p型半导体组成的双极结构,从而控制电流的流动。igbt的优点是具有较高的开关速度、较高的功率密度和较低的损耗。因此,igbt广泛应用于电力电子设备、电机控制、变频器、逆变器等领域。


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